咖啡厅的服务员过来，林浅予点的拿铁，罗平只要了一瓶水。
李新等服务员走后才解答他的问题：“当前主流的闪存芯片都是采用2d技术，类似于一大片平原上建造一个个独立的单间牢房，也就是浮栅晶体管，通过施加十五到二十伏的电压，可以让里面存储一定量的电荷，也就是写入数据，然后通过五伏电压进行读取，判断里面有没有存储电荷，有就是一，没有就是零，同样面积的芯片上面，建造的浮栅晶体管越密集，存储密度越大，芯片容量也就越大，里面电荷泄露的可能性也越大！”
顿了顿又继续说道：“我们当前的工艺，浮栅晶体管体积宽度是三十八纳米，你说的那家企业可能是三星，或者是东芝，他们的工艺能把浮栅晶体管能缩小到十六纳米，当然，带来的后果是电子隧穿效应增加，芯片可擦写次数也会受到影响，但都在可控范围内！”
“浮栅晶体管小于十四纳米，电子隧穿效应就不可控了，发展到十六纳米大小，当前的技术路径已经发展到极限，未来的趋势是3d层叠技术，芯片上的晶体管从平房改成楼房，目前三星已经研发出三十二层晶体管的芯片，当然这都是在保证一定安全性的前提下，不过数据可靠性还取决于逻辑控制电路部分，读取写入都要经过这里操作，这部分相当于监狱管理，同样重要！”
“尽管我们很有达成合作的诚意，我也得承认，无论是单芯片容量，还是数据安全性方面，相比三星的同类产品，我们都没有技术优势，但是差距是看的见的，并不是追赶不上，只要有足够的资金，三到五年追平差距是有可能的！”
“我看资料介绍，闪存芯片还分slc、mlc、tlc、qlc不同种类，擦写次数和读取速度差距很大，其中的技术原理你能讲讲吗？很多资料都语焉不详，看不太明白！”难得遇到真正的技术专家，罗平又问出一个问题。
“原理其实很简单，还用单间牢房做比喻，slc是single-level cell的缩写，单层单元的意思，可以理解为牢房里只关一个犯人，有人是一，没人就是零，相当于存储一比特数据；mlc可以理解为关了两个犯人，就有四种状态，可以存储两比特数据；tlc就相当于关了四个犯人，qlc就相当于关了八个犯人，不过同样数量的牢房关押人数翻倍，管理成本也会提升，牢房寿命也会减少！”
李新讲起擅长的技术问题滔滔不绝，喝了一口咖啡继续说。
“表现在参数上面就是，slc芯片擦写循环次数在十万次以上，顺序读写速度超过五百兆以上，随机读写速度延迟小于一百微秒；mlc芯片擦写循环次数降低到一万次左右，读写速度降低百分之二十；tlc芯片擦写循环次数降低到五百次左右，读写速度再降低百分之二十五；qlc芯片擦写循环次数只有一百到三百次左右，顺序读写速度降低到每秒二百兆，随机读写延迟增加到两毫秒，当然好处是存储成本降低几倍！”
“实现的手段不算复杂，电子牢房存储的电荷一般不高于两伏特，slc芯片读取一伏以下为零，一伏以上为一，只有两种状态，相当于存储一比特数据；mlc芯片则是存储的电荷电压分为四档，每零点五伏特为一档，这就相当于四种状态；tlc芯片就是把存储的电压再细分到零点二五伏特一档，存储八种状态，三比特数据；qlc芯片再细分到零点一二五伏特一档，十六种电荷状态，存储四比特数据，这已经是当前的技术极限了！”
罗平继续问：“闪存芯片中存储的数据，如果不达到擦写寿命极限，可以保存多久？”
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